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650V Super Junction N-Channel MOSFET
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 新产品宣告

产品先容 1.接纳庄闲和游戏官网科技特殊多层外延工艺制程设计的650V系列超结产品 ，可以知足低导通消耗、低开 关消耗、EMI兼容性以及差别电路拓扑结构应用要求 ，产品具有优异的导通内阻（Rdson)和栅 极电荷（Qg)性能 ，降低导通消耗和开关消耗 ，更低的开关噪声、更低的Trr ，综合提升系统稳 定性及性能。
2.开关速率与EMI平衡、更低的Trr特点 ，适用于充电器 ，电源适配器 ，TV电源、工业电源等领 域 ，亦可知足一些半桥或种种桥式电路拓扑结构应用要求。
产品特点 1.接纳庄闲和游戏官网科技特殊多层外延工艺制程设计 ，具有更高的工艺稳固性和可靠性 ，开关速率与EMI 平衡、更低的Trr特点；
2.系列产品具有低导通电阻、低栅极电荷、导通消耗和开关消耗低的特点；
3.接纳TO-252/ITO-220AB封装 ，具有更好的热值特征。
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