庄闲和游戏官网

中文 EN
首页
关于庄闲和游戏官网
新品宣布
120V SGT工艺N-Channel MOSFET
120V SGT工艺N-Channel MOSFET 返回
 新产品宣告

产品先容 1.接纳庄闲和游戏官网科技SGT特殊工艺制程 ，凭证电机驱动和电源应用要求 ，优化导通内阻（Rdson)和 栅极电荷（Qg)性能 ，降低导通消耗和开关消耗 ，提升系统效率；
2.解决高速Gan电源应用时di/dt大带来的副边电压尖峰高的问题 ，提升产品整体的可靠性 。
产品特点 1.接纳庄闲和游戏官网科技SGT特殊工艺制程设计 ，具有更高的工艺稳固性和可靠性；
2.系列产品具有更快的开关速率 ，更小的栅电荷和更高的应用效率；
3.接纳PDFN5060封装 ，更好的热阻特征 。
规格书

YJG88G12A

相关新品

微沟槽IGBT 650V单管——让大电流应用“轻装上阵”

IGBT低消耗系列

适用于大功率DCDC的MOSFET新品

恒VC ESD产品

用于泄电�；さ男」β士煽毓�

0.05pF超低容值的ESDM系列静电�；ざ�

用于光伏微逆变、工业电源、服务器电源的SJ MOSFET

具有稳压特征的MMBZ系列静电�；ざ�

应用于PD电源的100V 3.2mΩ SGT MOSFET新品

N60V SGT MOSFET新品

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验 ，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明 。若是您选择继续浏览这个提醒 ，便体现您已接受我们网站的使用条款 。

网站地图